シリコンカーバイド（SiC）用研磨スラリー

"ClasSiC™"

SiC ウェハ研磨用高精度 CMP スラリー
サンゴバンの ClasSiC™ シリーズは、LED やパワー半導体デバイス製造に使用されるシリコンカーバイド（SiC）ウェハの化学機械平坦化（CMP）に特化した高性能スラリーです。高効率の過マンガン酸系酸化剤と独自の化学処方により高い除去率と優れた平坦化性能を実現し、SiC表面に傷のない高品質な仕上がりを提供します。

ClasSiC™ 2100 は、厳密に制御されたナノ粒子と加速剤化学を組み合わせ、10µm/h 以上の除去率と極めて低い粗さ・欠陥・サブサーフェスダメージを達成。ClasSiC™ 2000 は研磨剤を含まない化学的平坦化スラリーで、SiC ウェハの最終研磨に最適です。これらのスラリーは、TTV・LTV・ワープの値を極限まで低減し、酸化安定性とコロイド安定性にも優れ、管理・洗浄が容易です。

メリット

• Si面・C面の両方で高い除去率
• エピ対応の高品質表面仕上げ
• 非常に低いTTV・LTV・ワープ値
• 傷や欠陥の発生を最小限に抑制
• 優れた分散性と洗浄性
• カスタム処方対応可能（粒子設計・化学調整）
• 技術サポート可能な専門エンジニアが常駐